财务费用主要包括哪些内容？

正文 海外大储修罗场，外资巨头也卷不动了 尽管海外大型储能的利润率一直显著高于国内，但市场竞争同样十分激烈。一个突出的表现是：不少国外储能系统集成商还尚未实现盈利。 全球排名第四的储能系统集成商正考虑出售其储能业务。近日，据多家外媒报道，芬兰电力解决方案企业Wartsila瓦锡兰集团正对其储能与优化业务进行战略审查，考虑采取剥离或出售等方案。这是一个令不少业内人士颇为意外的消息：全球范围内，储能业务是不可多得的高成长赛道之一，万亿级的市场还未打开，瓦锡兰也已经在储能领域占据了可观的市场份额，理应进入某种意义上的“安全区”。机构S P Global数据显示，截至2023年7月，瓦锡兰的全球已安装储能项目数量位于全球第4位，仅排在阳光电源、Fluence、特斯拉之后。全球排名前列的储能巨头，为何对储能业务产生犹疑？一位国内头部储能电池企业的市场部人士告诉36碳，据他了解，原因是瓦锡兰管理层对储能业务长期的盈利能力持悲观态度。尽管海外大型储能的利润率一直显著高于国内，但市场竞争同样十分激烈。一个突出的表现是：不少国外储能系统集成商还尚未实现盈利。就连装机量全球排第二的集成商Fluence，也是在今年第三季度才首次实现季度盈利。（注：大储，即大型储能，主要指用于电力系统中发电侧与输配电侧的储能系统产品。）随着国内储能厂商不断入局海外大储市场，这一市场的竞争程度正在不断加剧。上述市场人士认为，像瓦锡兰集团一样萌生退意的厂商可能不是个例。“这（瓦锡兰考虑退出）是海外大储市场洗牌的开始，后续会有更多类似的消息传出来。”该市场人士表示。01 海外大储也是“修罗场”长期以来，海外大储市场一直被认为是一个更优质的储能细分市场。这一市场发展更为成熟，竞争态势也相对和缓，厂商的平均利润率也高于国内。相比国内，海外储能市场有一定的门槛，需要企业熟悉当地的电力市场环境，掌握渠道资源，国内此前能拿到欧美大储订单的系统集成商数量也并不多。但要在海外大储市场上赚钱也并不容易。一位接近华为的人士告诉36碳，由于海外大储利润低，华为一度不碰大储业务，只做了部分示范性项目。直到目前大储业务在华为的储能业务占比中仍然很低。另一个典型的代表就是全球排名第二的集成商Fluence。这家公司成立于2018年，由电气巨头西门子和美国爱依斯电力公司（AES）共同组建，但直到今年第三季度才首次实现了季度盈利，此前一直处于亏损状态。阳光电源是国内布局海外大储业务的代表企业，储能业务海外占比在80%以上，且产品类型以大储为主。今年上半年阳光电源储能系统业务毛利率达到30.66%，且该部分收入同比增长高达257.2%。这给不少人留下了海外大储利润率高、容易赚钱的印象。但实际上，前文大储行业市场人士告诉36碳，上半年阳光电源储能系统业务利润提升，主要是因为海外大储PCS（储能变流器）短缺、利润较高。阳光电源不光做储能系统集成，也自研储能PCS，因而整体利润率得到提升。换句话说，单就储能系统集成环节而言，海外大储系统集成的利润率也并不算高。作为对比，在大储PCS未出现短缺的2022年，阳光电源的储能系统毛利率仅为23.24%，仅略高于以国内储能系统集成为主业的海博思创的毛利率（23.05%）。储能系统集成商链接上下游图片来源：安信证券对于国外大储系统集成商来说，它们中的大部分核心零部件并非自研，而是依靠外购。在行业“卷价格”时，国外集成商的利润率更容易受到挤压。Fluence就是一个典型代表，其电芯采购自宁德时代、远景动力等厂商，PCS也依赖外采，仅BMS（电池管理系统）和软件OS实现了自研。财报显示，截至2023年6月30日，Fluence前三个财报季的净利润为-1.1亿美元，毛利率仅为4.2%，与阳光电源的30.66%毛利率有着巨大差距。在此背景下，全球排名第四的瓦锡兰集团要考虑采取剥离或出售储能业务，也就并不意外了。上述市场人士表示，虽然瓦锡兰的储能业务已勉强实现了盈利，但可能对于瓦锡兰集团整体的盈利能力造成拖累，因此才考虑剥离甚至出售。02 中国厂商地位提升放在更大的视角来看，瓦锡兰集团在储能业务上犹疑的动作，其实也是外资企业在全球储能市场上“收缩战线”的标志性事件。由于欧美市场发展储能行业较早，占据先发优势、市场渠道优势的外资企业，曾一度是全球储能市场的*主力。不过，随着越来越多中国厂商进军海外市场，将激烈的竞争从国内卷到国外，中国厂商在这一市场的占有率正在提升。2021年时，根据机构IHS Market数据，全球新增装机量排名前8位的储能集成商中，仅有阳光电源一家中国企业，市占率为6%。图片来源：36碳制图2022年，根据机构伍德麦肯兹统计，全球出货量前五的储能系统集成商中，中国企业占据了三席，分别是阳光电源（16%）、华为（9%）和比亚迪（9%）。尤其是阳光电源，已超越Fluence成为全球出货量*的储能系统集成商。图片来源：伍德麦肯兹中国储能势力在全球市场攻城略地背后，全球布局的中国储能厂商在不断增多，正“从国内卷到海外”。今年以来，随着国内储能市场内卷和海外户储市场步入寒冬，越来越多过去更多专注国内市场或者单一海外市场的中国储能集成商，将目光投向全球市场。以晶科储能、阿特斯、科陆电子、南都电源、德业股份等代表的厂商纷纷布局海外大储和工商业储能市场。此外，国内锂电池产能过剩，越来越多锂电企业也开始进军储能系统集成环节。如宁德时代就在今年9月签署合同，为澳大利亚Kwinana电池二期项目和Collie电池项目提供集装箱式液冷电池系统。如前文所言，海外的储能系统集成商，尤其欧美集成商一般不自研零部件，而是依赖中国的电芯和PCS供应商，因此在成本上处于劣势。而中国厂商凭借供应链优势和成本优势进军海外，既可以消化部分过剩产能，也可以打开新的增量市场，在全球储能市场格局中的市占率和地位有望得到提高。当然，价格是影响业务的重要因素，但不是*因素。长期的安全性和可靠性也非常关键。上述市场人士告诉36碳，储能的海外客户在合同上会要求每年的验收，对容量、RTE（系统循环效率）以及每年的平均在线率进行考核，一旦不符合，罚则上限可以达到合同额的100%。因此，海外储能集成的表面利润可能比国内要高，但合同刚性很强，在交付上面风险也比较大。这些因素会在更长期的竞争中体现出来。此外，值得注意的是，随着入局者的增多，部分中国厂商在海外市场也开始用低价策略竞争。这是一场“伤敌一千自损八百”的博弈。一位储能企业高管告诉36碳，海外大储市场跟国内不同，一般不会公开储能招标价格，但据他观察，海外储能市场整体上的竞争正变得越来越激烈。“就像如今的风电一样，国内外市场利润率已相差不多，海外储能市场将来也迟早会内卷，现在就是打个时间差。”该高管表示。 【本文由投资界合作伙伴36碳授权发布，本平台仅提供信息存储服务。】投资界处理。年末疯抢最后一波！京东服饰美妆12.12保暖服饰每满200减30

正文 HBM技术，如何发展？ 虽然目前业界都在集中研发HBM3的迭代产品，但是厂商们为了争夺市场的话语权，对于未来HBM技术开发有着各自不同的见解与想法。 伴随着英伟达AI芯片的热卖，HBM（高带宽内存）成为了时下存储中最为火热的一个领域，不论是三星、海力士还是美光，都投入了大量研发人员与资金，力图走在这条赛道的最前沿。HBM 的初衷，是为了向 GPU 和其他处理器提供更多的内存，但随着GPU 的功能越来越强大，需要更快地从内存中访问数据，以缩短应用处理时间。例如，在机器学习训练运行中，大型语言模型 (LLM) 可能需要重复访问数十亿甚至数万亿个参数，而这可能需要数小时或数天才能完成。这也让传输速率成为了HBM的核心参数，而已有的HBM都采用了标准化设计：HBM 存储器堆栈通过微凸块连接到 HBM 堆栈中的硅通孔（TSV 或连接孔），并与放置在基础封装层上的中间件相连，中间件上还安装有处理器，提供 HBM 到处理器的连接。与普通的DRAM相比，如此设计的HBM能够垂直连接多个DRAM，能显著提升数据处理速度，目前，HBM 产品以HBM（*代）、HBM2（第二代）、HBM2E（第三代）、HBM3（第四代）、HBM3E（第五代）的顺序开发，最新的HBM3E是HBM3的扩展版本，速率达到了8Gbps。但对于AI芯片来说，光靠传统的硅通孔已经无法满足厂商对于速率的渴求，内存厂商和标准机构正在研究如何通过使用光子等技术或直接在处理器上安装 HBM，从而让像GPU 这样的加速处理器可以获得更快的内存访问速度。01 谁才是新方向？虽然目前业界都在集中研发HBM3的迭代产品，但是厂商们为了争夺市场的话语权，对于未来HBM技术开发有着各自不同的见解与想法。三星三星正在研究在中间件中使用光子技术，光子通过链路的速度比电子编码的比特更快，而且耗电量更低。光子链路可以飞秒速度运行。这意味着10-1?个时间单位，即四十亿分之一（十亿分之一的百万分之一）秒。在最近举行的开放计算项目（OCP）峰会上，以首席工程师李彦为代表的韩国巨头先进封装团队介绍了这一主题。除了使用光子集成电路外，另一种方法是将 HBM 堆栈更直接地连接到处理器（上图中的三星逻辑图）。这将涉及谨慎的热管理，以防止过热。这意味着随着时间的推移，HBM 堆栈可以升级，以提供更大的容量，但这需要一个涵盖该领域的行业标准才有可能实现。SK海力士据韩媒报道，SK海力士还在研究 HBM 与逻辑处理器直接连接的概念。这种概念是在混合使用的半导体中将 GPU 芯片与 HBM 芯片一起制造。芯片制造商将其视为 HBM4 技术，并正在与英伟达和其他逻辑半导体供应商洽谈。这个想法涉及内存和逻辑制造商共同设计芯片，然后由台积电（TSMC）等晶圆厂运营商制造。这有点类似于内存处理（PIM）的想法，如果最终不能成为行业标准的话，很可能会变成事实上的厂商独占。美光Tom's Hardware 报道称，美光与市场上的其他公司正在开展 HBM4 和 HBM4e 活动。美光目前正在生产 HBM3e gen-2 内存，采用 8层垂直堆叠的 24GB 芯片。美光的 12 层垂直堆叠 36GB 芯片将于 2024 年*季度开始出样。它正与半导体代工运营商台积电合作，将其 gen-2 HBM3e 用于人工智能和 HPC 设计应用。美光表示，其目前的产品具有高能效，对于安装了1000万个GPU的设备来说，每个HBM堆栈能节省约5瓦的功耗，预计五年内将比其他HBM产品节省高达5.5亿美元的运营开支。02 下一代HBM2015年以来，从HBM1到HBM3e，它们都保留了相同的1024位(每个堆栈)接口，即具有以相对适中的时钟速度运行的超宽接口，为了提高内存传输速率，下一代HBM4可能需要对高带宽内存技术进行更实质性的改变，即从更宽的2048位内存接口开始。出于多种技术原因，业界打算在不增加 HBM 存储器堆栈占用空间的情况下实现这一目标，从而将下一代 HBM 存储器的互连密度提高一倍。HBM4 会在多个层面上实现重大技术飞跃。在 DRAM 堆叠方面，2048 位内存接口需要大幅增加内存堆叠的硅通孔数量。同时，外部芯片接口需要将凸块间距缩小到远小于 55 微米，而 HBM3 目前的凸块总数（约）为 3982 个，因此需要大幅增加微型凸块的总数。内存厂商表示，他们还将在一个?？橹卸训啻? 16 个内存?？?，即所谓的 16-Hi 堆叠，从而增加了该技术的复杂性。(从技术上讲，HBM3 也支持 16-Hi 堆叠，但到目前为止，还没有制造商真正使用它）这将使内存供应商能够显著提高其 HBM 堆叠的容量，但也带来了新的复杂性，即如何在不出现缺陷的情况下连接更多的 DRAM 凸块，然后保持所产生的 HBM 堆叠适当且一致地短。在阿姆斯特丹举行的台积电 OIP 2023 会议上，台积电设计基础设施管理主管这样说道："因为[HBM4]不是将速度提高了一倍，而是将[接口]引脚增加了一倍。这就是为什么我们要与所有三家合作伙伴合作，确保他们的 HBM4（采用我们的先进封装方法）符合标准，并确保 RDL 或 interposer 或任何介于两者之间的产品都能支持（HBM4 的）布局和速度。因此，我们会继续与三星、SK 海力士和美光合作"。目前，台积电的 3DFabric 存储器联盟目前正致力于确保 HBM3E/HBM3 Gen2 存储器与 CoWoS 封装、12-Hi HBM3/HBM3E 封装与高级封装、HBM PHY 的 UCIe 以及无缓冲区 HBM（由三星率先推出的一项技术）兼容。美光公司今年早些时候表示，"HBMNext "内存将于 2026 年左右面世，每堆栈容量介于 36 GB 和 64 GB 之间，每堆栈峰值带宽为 2 TB/s 或更高。所有这些都表明，即使采用更宽的内存总线，内存制造商也不会降低 HBM4 的内存接口时钟频率。03 总结与三星和 SK海力士不同，美光并不打算把 HBM 和逻辑芯片整合到一个芯片中，在下一代HBM发展上，韩系和美系内存厂商泾渭分明，美光可能会告诉AMD、英特尔和英伟达，大家可以通过 HBM-GPU 这样的组合芯片获得更快的内存访问速度，但是单独依赖某一家的芯片就意味着更大风险。美国的媒体表示，随着机器学习训练模型的增大和训练时间的延长，通过加快内存访问速度和提高每个 GPU 内存容量来缩短运行时间的压力也将随之增加，而为了获得锁定的 HBM-GPU 组合芯片设计（尽管具有更好的速度和容量）而放弃标准化 DRAM 的竞争供应优势，可能不是正确的前进方式。但韩媒的态度就相当暧昧了，他们认为HBM可能会重塑半导体行业秩序，认为IP（半导体设计资产）和工艺的重大变化不可避免，还引用了业内人士说："除了定制的'DRAM 代工厂'之外，可能还会出现一个更大的世界，即使是英伟达和 AMD 这样的巨头也将不得不在三星和 SK 海力士制造的板材上进行设计。"当然SK 海力士首席执行官兼总裁 Kwak No-jeong的发言更值得玩味，他说：“HBM、计算快速链接（CXL）和内存处理（PIM）的出现将为内存半导体公司带来新的机遇，这种滨化?：寺呒氲继搴痛娲⑵髦涞慕缦?，内存正在从一种通用商品转变为一种特殊商品，起点将是 HBM4。”由此看来，下一代HBM技术路线的选择，可能会引发业界又一轮重大的洗牌，谁能胜出，我们不妨拭目以待。 线下零售@2023：折扣、体验与回归